本作品内容为 一、实验目的和意义 化学气相淀积(CVD)工艺是集成电路制造中用来制备薄膜的一种重要方法,CVD的基本理论涉及到许多方面,包括气相化学反应、热力学、动力学、热传导、流体力学、表面反应、等离子反应、薄膜物理等。 为了使学生能够更深入、更直观地理解化学气相淀积工艺的工艺原理,掌握不同工艺条件对化学气相淀积工艺淀积效果的影响,这里采用器件与工艺TCAD仿真工具Silvaco来对化学气相淀积工艺进行模拟实验。 二、实验原理 淀积时间、淀积速率等参数都会影响化学气相淀积工艺的效果,通过改变这些参数可以分析, 格式为 docx, 大小1 MB, 页数为1, 请使用软件Word(2010)打开, 作品中主体文字及图片可替换修改,文字修改可直接点击文本框进行编辑,图片更改可选中图片后单击鼠标右键选择更换图片,也可根据自身需求增加和删除作品中的内容, 源文件无水印, 欢迎使用熊猫办公。 如认为平台内容涉嫌侵权,可通过邮件:tousu@tukuppt.com提出书面通知,我们将及时处理。
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